台媒：台积电将于8月开始出厂3纳米芯片，产能超两万片

犹如通讯员 周玲

MOS3纳米获重大突破。

4年末12日，《联合晚报》刊文，一度因技术开发时先为延迟的MOS3纳米元件近来获重大突破。MOS决定来年率先出加厂第二版本3纳米元件，起名为“N3B”。

据刊文，MOS将于来年8年末于新竹十二加厂研发中心第八期工加厂及南科十八加厂P5加厂实时投片，年底以鳍式场效晶体管（FinFET）架构，交手Galaxy的环绕闸极（GAA）元件。

专业人士臆测，之前因技术开发时先为延迟，导致的产品APP新一代处理器来年仍换用5纳米加强版本N4P。

台湾地区《联合晚报》刊文，迄今MOS初步规划新竹工加厂每年末产能约1万至2万片，新竹工加厂产能为1.5万片。

来年1一年末，MOS董事魏哲家在法人说明致词表示，MOS3纳米元件成果适用期望，将于来年当年出加厂，卖家也比期望多。同时，他还指出，3纳米元件将主要运用于高不稳定性运算及智能APP应用领域，期望3纳米将是时隔5纳米最后，另一大规模世代元件。

来年第一季度，MOS营收累计上涨35.5%至4910.8亿新台币，缔造上曾新高。

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